Инвентаризация:11342

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.8W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A
  • Глубина 1640pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 3A, 10V
  • Тип симистора 33.7nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO

Инвентаризация: 17531

Top