Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta), 37W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Глубина 683pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 11.9nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 9842

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

Инвентаризация: 1845

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Инвентаризация: 4202

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

Инвентаризация: 6713

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

Инвентаризация: 79490

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

Инвентаризация: 0

Top