Инвентаризация:37519

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.8A
  • Глубина 1293pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523

Инвентаризация: 35887

MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP

Инвентаризация: 6725

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 46297

Top