Инвентаризация:12914

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.3W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 1287pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 4.5A, 10V
  • Тип симистора 22.4nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26

Инвентаризация: 5355

MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC

Инвентаризация: 9608

CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.325"

Инвентаризация: 4181

MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC

Инвентаризация: 9973

Top