Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW
• Внутренняя отделка контактов 80V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A
• Глубина 1180pF @ 40V
• Сопротивление при 25°C 44mOhm @ 4.7A, 10V
• Тип симистора 35nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 4V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC