- Модель продукта SI4946CDY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta), 2.8W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
- Глубина 350pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
- Тип симистора 10nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO