Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
  • Глубина 350pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


ALUM HEAT SINK FOR RASPBERRY PI

Инвентаризация: 461

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 11414

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Инвентаризация: 10786

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Инвентаризация: 13828

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 19719

Top