- Модель продукта SI4946BEY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.7W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A
- Глубина 840pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 5.3A, 10V
- Тип симистора 25nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Инвентаризация: 1313
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Инвентаризация: 4703
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Инвентаризация: 16748
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Инвентаризация: 12581
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Инвентаризация: 3530
MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Инвентаризация: 2020
