Инвентаризация:14081

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 315mOhm @ 2.4A, 10V
  • Материал феррулы 3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
  • Длина ремня 7.5V, 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 150 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 880 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO

Инвентаризация: 4703

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 19719

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 9769

Top