Инвентаризация:18081

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta), 8.4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 307mOhm @ 2A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 40W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 150 V
  • 13 nC @ 10 V
  • 885 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4

Инвентаризация: 25437

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

Инвентаризация: 22347

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

JFET N-CH 25V SOT23-3

Инвентаризация: 12724

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

Инвентаризация: 143012

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 12581

MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB

Инвентаризация: 6470

Top