- Модель продукта FDMA86265P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:23847
Технические детали
- Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 2.4W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 150 V
- 4 nC @ 10 V
- 210 pF @ 75 V