- Модель продукта FDMS3669S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A, 18A
- Глубина 1605pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 13A, 10V
- Тип симистора 24nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.7V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение Power56
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Инвентаризация: 79575
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Инвентаризация: 12965
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Инвентаризация: 8383
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Инвентаризация: 1952
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Инвентаризация: 12315
DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD523
Инвентаризация: 201939
