- Модель продукта FDN5618P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13815
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.25A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 1.25A, 10V
- Материал феррулы 500mW (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 13.8 nC @ 10 V
- 430 pF @ 30 V