Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
• Глубина 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
• Тип симистора 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)