Инвентаризация:1542

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A (Ta), 9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 160mOhm @ 2.4A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 40W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 150 V
  • 24 nC @ 10 V
  • 1360 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L

Инвентаризация: 245828

MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON

Инвентаризация: 26682

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

Инвентаризация: 22347

MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33

Инвентаризация: 17329

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

Инвентаризация: 9387

T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL

Инвентаризация: 4627

MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK

Инвентаризация: 9321

Top