Инвентаризация:6127

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Ta), 154A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.9mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3.8W (Ta), 166W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6.15)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 68 nC @ 10 V
  • 4380 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,

Инвентаризация: 2867

MOSFET N-CH DFN5060

Инвентаризация: 5000

T8 80V LL LFPAK

Инвентаризация: 2890

Top