- Модель продукта FDMS86183
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4522
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 51A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12.8mOhm @ 16A, 10V
- Материал феррулы 63W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 14 nC @ 6 V
- 1515 pF @ 50 V