Инвентаризация:16271

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 9.8mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 36µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-7
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 28 nC @ 10 V
  • 2100 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Инвентаризация: 18873

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON

Инвентаризация: 38158

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 5985

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23

Инвентаризация: 4973

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Инвентаризация: 2235

Top