- Модель продукта RS6P060BHTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3735
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10.6mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 73W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 25 nC @ 10 V
- 1560 pF @ 50 V