- Модель продукта DMT12H007LPS-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5428
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 2.9W
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 49 nC @ 10 V
- 3224 pF @ 60 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Инвентаризация: 9943
MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Инвентаризация: 5529
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Инвентаризация: 8246
SENSOR CURRENT HALL 50A AC/DC
Инвентаризация: 1440
