Инвентаризация:11443

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta), 99A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 156W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 112µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-7
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 79 nC @ 10 V
  • 7400 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON

Инвентаризация: 26682

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 2536

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Инвентаризация: 119389

MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 3928

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12

Инвентаризация: 696

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

Инвентаризация: 3071

Top