Инвентаризация:4036

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta), 99A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 156W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 112µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 79 nC @ 10 V
  • 7400 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON

Инвентаризация: 9943

MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON

Инвентаризация: 26845

MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8

Инвентаризация: 12347

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12

Инвентаризация: 696

Top