Инвентаризация:10821

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 22 nC @ 10 V
  • 719 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 12V 500MW DO35

Инвентаризация: 10016

DIODE ZENER 12V 500MW DO35

Инвентаризация: 43000

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Инвентаризация: 16597

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 12581

DIODE ZENER 12V 5W DO214AA

Инвентаризация: 3695

MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8

Инвентаризация: 8420

MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8

Инвентаризация: 2635

Top