Инвентаризация:15328

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 10.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 55 nC @ 5 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO

Инвентаризация: 15751

MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC

Инвентаризация: 11260

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Инвентаризация: 12476

Top