Инвентаризация:12760

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 49 nC @ 10 V
  • 2600 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC

Инвентаризация: 20933

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3

Инвентаризация: 19216

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

Инвентаризация: 52788

IC TRANSLATOR BIDIR 8MICROPAK

Инвентаризация: 15714

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Инвентаризация: 13828

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Инвентаризация: 12476

Top