Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 72A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 50A, 20V
  • Материал феррулы 520W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 18mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1700 V
  • 188 nC @ 20 V
  • 3672 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3

Инвентаризация: 450

SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC 2N-CH 1200V 182A

Инвентаризация: 44

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

Инвентаризация: 425

Top