Инвентаризация:16373

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.42W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Глубина 478.9pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 8.5A, 10V
  • Тип симистора 5nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 26024

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Инвентаризация: 4862

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Инвентаризация: 1901

MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Инвентаризация: 69867

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 55394

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

Инвентаризация: 9148

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

Инвентаризация: 38663

Top