Инвентаризация:10648

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.1A, 11A
  • Глубина 850pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.35V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Инвентаризация: 13599

Top