- Модель продукта IRL6372TRPBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15099
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.1A
- Глубина 1020pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
- Тип симистора 11nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.1V @ 10µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Инвентаризация: 1901
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Инвентаризация: 2403
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Инвентаризация: 9148
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Инвентаризация: 2328
