Инвентаризация:3401

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.42W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A
  • Глубина 478.9pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 8.5A, 10V
  • Тип симистора 10.5nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Инвентаризация: 14873

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Инвентаризация: 13599

MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

Инвентаризация: 329478

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 11013

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 4816

Top