- Модель продукта STS8DN3LLH5
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.7W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A
- Глубина 724pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 5A, 10V
- Тип симистора 5.4nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Инвентаризация: 1901
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Инвентаризация: 2001
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Инвентаризация: 2403
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Инвентаризация: 13599
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Инвентаризация: 41453
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Инвентаризация: 11013
