Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1W, 1.25W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.8A, 8.2A
• Сопротивление при 25°C 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
• Тип симистора 10nC @ 5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC