- Модель продукта CSD88539ND
- Бренд Texas Instruments
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:6362
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.1W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 15A
- Глубина 741pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 5A, 10V
- Тип симистора 9.4nC @ 10V
- Барьерный тип 3.6V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Инвентаризация: 7778
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Инвентаризация: 11459
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Инвентаризация: 4975
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Инвентаризация: 10229
