- Модель продукта IRF8313TRPBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:40163
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.7A
- Глубина 760pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
- Тип симистора 9nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.35V @ 25µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
Сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Инвентаризация: 17531
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Инвентаризация: 13201
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Инвентаризация: 13397
