Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 24W, 52W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc), 85A (Tc)
• Глубина 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)