Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 24W, 75W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Tc), 85A (Tc)
• Глубина 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
• Тип симистора 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)