Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerVDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc)
• Глубина 1520pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 40nC @ 10V, 30nC @ 10V
• Барьерный тип 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)