Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerVDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.2W (Ta), 69W (Tc), 3.2W (Ta), 46W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta), 134A (Tc), 29A (Ta), 110A (Tc)
• Глубина 1940pF @ 15V, 1890pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 2.4mOhm @ 20A, 10V, 2.3mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 38nC @ 10V
• Барьерный тип 1.8V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)