Инвентаризация:226075

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 17A, 10V
  • Материал феррулы 5W (Ta), 28W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 50 nC @ 10 V
  • 1995 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Инвентаризация: 162472

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

Инвентаризация: 516160

IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 5603

MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN

Инвентаризация: 40390

MOSFET N-CH 30V 45A/50A 8DFN

Инвентаризация: 167082

MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 8022

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323

Инвентаризация: 887967

Top