Инвентаризация:41890

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Ta), 32A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 40 nC @ 10 V
  • 1835 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 2939

MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN

Инвентаризация: 4921

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 224575

MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN

Инвентаризация: 15601

MOSFET N-CH 30V 20A 8SO

Инвентаризация: 37845

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

Инвентаризация: 6261

Top