Инвентаризация:4419

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 24W, 39W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc), 85A (Tc)
  • Глубина 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 22A/85A 8DFN

Инвентаризация: 2832

MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN

Инвентаризация: 2922

MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN

Инвентаризация: 3303

MOSFET 2N-CH 30V 50A 8DFN

Инвентаризация: 14196

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 17861

Top