Инвентаризация:259338

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 16.5mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 4.1W (Ta), 24W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 34 nC @ 10 V
  • 1180 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN

Инвентаризация: 125353

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

Инвентаризация: 67590

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

Инвентаризация: 3234

Top