Инвентаризация:4803

Технические детали

  • Тип монтажа 8-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A, 15A
  • Глубина 485pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 10.2mOhm @ 13A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN

Инвентаризация: 2919

MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN

Инвентаризация: 4206

MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN

Инвентаризация: 28561

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN

Инвентаризация: 830275

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 224575

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 17562

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

Инвентаризация: 14451

Top