- Модель продукта SISA18ADN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:15951
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 38.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 21.5 nC @ 10 V
- 1000 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Инвентаризация: 46944
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Инвентаризация: 5975
MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Инвентаризация: 19568
