Инвентаризация:7196

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A, 31A
  • Глубина 820pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 13nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN

Инвентаризация: 2922

MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN

Инвентаризация: 5761

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 17861

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 7062

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 15593

Top