Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerSMD, Flat Leads
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
• Глубина 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)