Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.5W (Ta), 12.5W (Tc), 4.1W (Ta), 30W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 16A (Tc)
  • Глубина 760pF @ 15V, 1995pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 12A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


N

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN

Инвентаризация: 5616

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 7062

MOSFET 2N-CH 30V 17.5A/32A 8DFN

Инвентаризация: 2858

Top