- Модель продукта SIRB40DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 46.2W
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Глубина 4290pF @ 20V
- Сопротивление при 25°C 3.25mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 45nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual