Инвентаризация:13673

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 46W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A
  • Глубина 2300pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
  • Тип симистора 65nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP

Инвентаризация: 13969

MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 5382

Top