Инвентаризация:6882

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 56W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A
  • Глубина 1680pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 7.5A, 10V
  • Тип симистора 50nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 31A AC/DC

Инвентаризация: 125790

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Инвентаризация: 267439

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 5543

Top