Инвентаризация:10956

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
  • Глубина 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSOP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP

Инвентаризация: 2503

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Инвентаризация: 41453

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8

Инвентаризация: 24929

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 2213

MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

Top